Выдающийся ученый Марк Бор, подаривший миру технологии High-k и Tri-Gate, покидает Intel в связи с выходом на пенсию. В последнее время Бор занимался освоением техпроцесса 5 нм. В компании его называют человеком, благодаря которому Intel до сих пор удавалось выполнять закон Мура.
Компанию Intel вскоре покинет Марк Бор(Mark Bohr), старший научный сотрудник и директор по архитектуре процессов и интеграции — один из ведущих ученых в сфере производства полупроводников. Проработав в Intel 40 лет, Бор выйдет на пенсию в марте 2019 г., пишет издание Oregon Live. Ученому уже исполнилось 65 лет. В последнее время он руководил разработкой 5-нанометровой полупроводниковой технологии.
«Марк был средством Intel в ее стремлении выполнять закон Мура», — отмечает вице-президент компании по производству Пэн Бай(Peng Bai). Напомним, закон Мура — это закономерность роста количества транзисторов на кристалле интегральной схемы. Согласно данной закономерности, количество транзисторов увеличивается в два раза каждые 24 месяца. Наблюдение было сделано основателем Intel Гордоном Муром(Gordon Moore).
Таким образом, Бор отвечал за то, чтобы Intel последовательно миниатюризировала чипы и вовремя осваивала соответствующие техпроцессы. Профильные СМИ все чаще пишут, что и сама «эпоха Мура» подходит концу, поскольку уменьшение размера транзистора не может быть бесконечным — оно ограничено размером атома кремния, который составляет 0,2 нм, и невозможностью передавать данные быстрее скорости света. Разработка и внедрение каждого следующего техпроцесса, включая 5 нм, сталкивается со все большими трудностями. В частности, освоение Intel техпроцесса 10 нм уже выбивается из «расписания» Мура.
Несмотря на то, что штаб-квартира Intel находится в Калифорнии, Бор и большинство других самых квалифицированных исследователей компании занимаются своей работой в лаборатории Intel в округе Вашингтон в штате Орегон. Именно там появилось на свет большинство передовых технологий Intel.
За последние 10 лет под руководством Бора Intel освоила две важные технологии. Одна из них — так называемая High-k, которая позволяет изготавливать транзисторы с подзатворным диэлектриком, у материала которого диэлектрическая проницаемость больше, чем у диоксида кремния.
Второе серьезное достижение Бора — запуск в производство трехмерных транзисторов Tri-Gate, созданных в 2011 г. Собственно, появление трехмерных транзисторов и позволило так долго следовать закону Мура. Под руководством Бора также проходило внедрение технологии FinFET. Технология основана на использовании в микросхемах трехмерного затвора, имеющего форму плавника (англ. «fin»).
В настоящий момент Intel ищет решения, которые позволят электронике не зайти в тупик с окончанием эпохи Мура. В частности, недавно исследователи Intel вместе с учеными Калифорнийского университета в Беркли и Национальной лаборатории им. Лоуренса в Беркли разработали магнитоэлектрический спин-орбитальный (МЭСО) логический элемент, который должен прийти на смену комплементарным структурам металл-оксид-полупроводников (КМОП), то есть обычным транзисторам.
Ученые сообщают, что МЭСО может вместить в пять раз больше логических операций на том же пространстве по сравнению с КМОП. Преимуществом МЭСО также является то, что напряжение, необходимое для его переключения, в пять раз ниже напряжения при переключении КМОП. Проведенные эксперименты показали, что для переключения достаточно 500 мВ, но ученые подсчитали, что это значение можно довести до 100 мВ.
В результате процессоры на МЭСО будут потреблять в 10-30 раз меньше энергии по сравнению с чипами на транзисторах, плюс будут сверхэкономными в спящем режиме. Кроме того, МЭСО может использоваться одновременно и для обработки, и для хранения данных — в каждый элемент можно записать по крайней мере 1 бит информации. Дело в том, что МЭСО изготавливаются из материалов, имеющих два состояния, которые демонстрируют спин-орбитальный эффект.
13.12.2018, 1084 просмотра.
